制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-563

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:540 mA

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:1.58 nC, 1.2 nC

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:CMLDM3

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Central Semiconductor

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns, 48 ns

典型接通延迟时间:10 ns, 38 ns

零件号别名:CMLDM3757 PBFREE TR

单位重量:3 mg